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NTMSD2P102LR2G
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- 制造商编号：
- NTMSD2P102LR2G
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- FETKY™
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 20 V 2.3A（Ta） 710mW（Ta） 8-SOIC
- 规格说明书：
- NTMSD2P102LR2G说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | FETKY™ |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 750 pF @ 16 V |
| FET 功能 | 肖特基二极管（隔离式） |
| 功率耗散（最大值） | 710mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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