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IXFH180N20X3

IXYS photo

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制造商编号:
IXFH180N20X3
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
HiPerFET™, Ultra X3
描述:
MOSFET N-CH 200V 180A TO247
详细描述:
通孔 N 通道 200 V 180A(Tc) 780W(Tc) TO-247(IXTH)
规格说明书:
IXFH180N20X3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 HiPerFET™, Ultra X3
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.5 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 154 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 10300 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 780W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247(IXTH)
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥111.895814 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥162.034284 ¥162.03
10+ ¥148.938005 ¥1489.38
100+ ¥125.786822 ¥12578.68
500+ ¥111.895814 ¥55947.91

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