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SCTH35N65G2V-7
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SCTH35N65G2V-7
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- -
- 描述：
- SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 45A（Tc） 208W（Tc） H2PAK-7
- 规格说明书：
- SCTH35N65G2V-7说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 45A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V，20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 67毫欧 @ 20A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 73 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值） | +22V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 208W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | H2PAK-7 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
| 标准包装 | 1,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥146.802569 | ￥146.80 |
| 1000+ | ￥111.216106 | ￥111216.11 |
