SCTH35N65G2V-7
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SCTH35N65G2V-7
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- -
- 描述:
- SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 650 V 45A(Tc) 208W(Tc) H2PAK-7
- 规格说明书:
- SCTH35N65G2V-7说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 45A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 18V,20V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 67毫欧 @ 20A,20V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.2V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 73 nC @ 20 V |
Vgs(最大值) | +22V,-10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1370 pF @ 400 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 208W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | H2PAK-7 |
封装/外壳 | TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA |
标准包装 | 1,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥146.802569 | ¥146.80 |
1000+ | ¥111.216106 | ¥111216.11 |