DMG4468LFG-7
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- DMG4468LFG-7
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 7.62A(Ta) 990mW(Ta) U-DFN3030-8
- 规格说明书:
- DMG4468LFG-7说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.62A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 15 毫欧 @ 11.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18.85 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 867 pF @ 10 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 990mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | U-DFN3030-8 |
封装/外壳 | 8-PowerUDFN |
标准包装 | 3,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | ¥8.37000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥4.035191 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥9.449513 | ¥9.45 |
10+ | ¥8.326762 | ¥83.27 |
100+ | ¥6.380535 | ¥638.05 |
500+ | ¥5.043926 | ¥2521.96 |
1000+ | ¥4.035191 | ¥4035.19 |