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SI6562CDQ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI6562CDQ-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 6.7A，6.1A 1.6W，1.7W 表面贴装型 8-TSSOP
- 规格说明书：
- SI6562CDQ-T1-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.7A，6.1A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 5.7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 850pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.6W，1.7W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.369649 | ￥9.37 |
| 10+ | ￥8.376831 | ￥83.77 |
| 100+ | ￥6.533792 | ￥653.38 |
| 500+ | ￥5.397192 | ￥2698.60 |
| 1000+ | ￥4.260876 | ￥4260.88 |
| 3000+ | ￥4.260876 | ￥12782.63 |
