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SSM6L09FUTE85LF

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制造商编号:
SSM6L09FUTE85LF
制造商:
Toshiba东芝
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 400mA,200mA 300mW 表面贴装型 US6
规格说明书:
SSM6L09FUTE85LF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 400mA,200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 700毫欧 @ 200MA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 20pF @ 5V
功率 - 最大值 300mW
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 US6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.468251 ¥4.47
10+ ¥3.344349 ¥33.44
100+ ¥2.086058 ¥208.61
500+ ¥1.427082 ¥713.54
1000+ ¥1.097765 ¥1097.77
3000+ ¥0.987985 ¥2963.95
6000+ ¥0.933101 ¥5598.61

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