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DMT6010SCT
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- 制造商编号：
- DMT6010SCT
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 98A TO220-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 60 V 98A（Tc） 2.3W（Ta），104W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- DMT6010SCT说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 98A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 36.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1940 pF @ 30 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.3W（Ta），104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXTP120N075T2 | IXYS | ¥30.34000 | 类似 |
| IPP80N06S207AKSA4 | Rochester Electronics, LLC | ¥7.78246 | 类似 |
| IPP057N06N3GXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥14.21000 | 类似 |
| IPP100N08S207AKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥10.18679 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥6.015821 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.509976 | ￥14.51 |
| 10+ | ￥13.015461 | ￥130.15 |
| 100+ | ￥10.146663 | ￥1014.67 |
| 500+ | ￥8.382041 | ￥4191.02 |
| 1000+ | ￥6.617407 | ￥6617.41 |
| 2000+ | ￥6.176252 | ￥12352.50 |
| 5000+ | ￥6.015821 | ￥30079.10 |
