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IXFP180N10T2
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IXFP180N10T2
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™, TrenchT2™
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 100 V 180A（Tc） 480W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- IXFP180N10T2说明书
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™, TrenchT2™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 185 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10500 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 480W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥33.48246 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥65.027571 | ￥65.03 |
| 10+ | ￥58.436536 | ￥584.37 |
| 100+ | ￥47.880186 | ￥4788.02 |
| 500+ | ￥40.759306 | ￥20379.65 |
| 1000+ | ￥34.37534 | ￥34375.34 |
| 2000+ | ￥33.48246 | ￥66964.92 |
