DMG6898LSDQ-13
![Diodes photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Diodes Incorporated.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Diodes/dgKRu70l.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Diodes/dgKRu70l.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Diodes/MP2imcIb.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Diodes/HAShzQKA.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- DMG6898LSDQ-13
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 9.5A 1.28W 表面贴装型 8-SO
- 规格说明书:
- DMG6898LSDQ-13说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 16 毫欧 @ 9.4A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 26nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1149pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1.28W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥8.491957 | ¥8.49 |
10+ | ¥7.510538 | ¥75.11 |
100+ | ¥5.756407 | ¥575.64 |
500+ | ¥4.550709 | ¥2275.35 |
1000+ | ¥3.640587 | ¥3640.59 |
2500+ | ¥3.299279 | ¥8248.20 |
5000+ | ¥3.102756 | ¥15513.78 |