IXTP80N12T2
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- 制造商编号:
- IXTP80N12T2
- 制造商:
- IXYS艾赛斯
- 系列:
- TrenchT2™
- 描述:
- MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 120 V 80A(Tc) 325W(Tc) TO-220
- 规格说明书:
- IXTP80N12T2说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | IXYS(艾赛斯) |
系列 | TrenchT2™ |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 120 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 17 毫欧 @ 40A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 80 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4740 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 325W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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1+ | ¥25.555661 | ¥25.56 |
10+ | ¥22.96134 | ¥229.61 |
100+ | ¥18.812591 | ¥1881.26 |
500+ | ¥16.0146 | ¥8007.30 |
1000+ | ¥13.506384 | ¥13506.38 |
2000+ | ¥13.155546 | ¥26311.09 |