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APTM100UM45DAG

Microchip photo

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制造商编号:
APTM100UM45DAG
制造商:
Microchip微芯
系列:
POWER MOS 7®
描述:
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
详细描述:
底座安装 N 通道 1000 V 215A(Tc) 5000W(Tc) SP6
规格说明书:
APTM100UM45DAG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 POWER MOS 7®
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 215A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 52 毫欧 @ 107.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 30mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1602 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 42700 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 5000W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SP6
封装/外壳 SP6
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥3634.916889 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥3634.916889 ¥3634.92

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