STFH10N60M6
![ST photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/STMicroelectronics.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/default/default.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/default/default.png)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- STFH10N60M6
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- MDmesh™ M6
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220FP
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 600 V 6.4A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
- 规格说明书:
- STFH10N60M6说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | MDmesh™ M6 |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.4A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 600 毫欧 @ 3.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.75V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.8 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 338 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 20W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220FP |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 920 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
R6009ENX | Rohm Semiconductor | ¥24.88000 | 类似 |
R6009KNX | Rohm Semiconductor | ¥13.98000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 920 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
920+ | ¥10.562125 | ¥9717.16 |