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FCP650N80Z

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制造商编号:
FCP650N80Z
制造商:
ON安森美
系列:
SuperFET® II
描述:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
详细描述:
通孔 N 通道 800 V 10A(Tc) 162W(Tc) TO-220
规格说明书:
FCP650N80Z说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 SuperFET® II
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 650 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 800µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1565 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 162W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 800

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
800 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥26.433353 ¥26.43
10+ ¥23.758102 ¥237.58
100+ ¥19.463907 ¥1946.39
500+ ¥16.569415 ¥8284.71
1000+ ¥15.879697 ¥15879.70

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