在线客服 
DMN60H080DS-7
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMN60H080DS-7
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 600 V 80mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-3
- 规格说明书：
- DMN60H080DS-7说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 欧姆 @ 60mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 25 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥0.82493 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.916575 | ￥3.92 |
| 10+ | ￥2.960433 | ￥29.60 |
| 100+ | ￥1.843774 | ￥184.38 |
| 500+ | ￥1.261734 | ￥630.87 |
| 1000+ | ￥0.970515 | ￥970.51 |
| 3000+ | ￥0.873471 | ￥2620.41 |
| 6000+ | ￥0.82493 | ￥4949.58 |
