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STL11N3LLH6
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- 制造商编号：
- STL11N3LLH6
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 11A（Tc） 2W（Ta），50W（Tc） PowerFlat™（3.3x3.3）
- 规格说明书：
- STL11N3LLH6说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1690 pF @ 24 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta），50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（3.3x3.3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | ¥4.38000 | 类似 |
| NTTFS4941NTWG | onsemi | ¥4.59057 | 类似 |
| SI7112DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | ¥14.05000 | 类似 |
| FDMC7680 | onsemi | ¥5.41543 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥7.232073 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.994885 | ￥14.99 |
| 10+ | ￥13.405875 | ￥134.06 |
| 100+ | ￥10.455638 | ￥1045.56 |
| 500+ | ￥8.637228 | ￥4318.61 |
| 1000+ | ￥7.232073 | ￥7232.07 |
| 3000+ | ￥7.232073 | ￥21696.22 |
