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ZXMC6A09DN8TA

Diodes photo

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制造商编号:
ZXMC6A09DN8TA
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V 3.9A,3.7A 1.8W 表面贴装型 8-SO
规格说明书:
ZXMC6A09DN8TA说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.9A,3.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 45 毫欧 @ 8.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 24.2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1407pF @ 40V
功率 - 最大值 1.8W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
标准包装 500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥10.225343 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥20.813796 ¥20.81
10+ ¥18.686412 ¥186.86
100+ ¥15.020872 ¥1502.09
500+ ¥12.340915 ¥6170.46
1000+ ¥10.225343 ¥10225.34

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