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IPW60R190P6FKSA1

Infineon photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
IPW60R190P6FKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolMOS™ P6
描述:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
详细描述:
通孔 N 通道 600 V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
规格说明书:
IPW60R190P6FKSA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolMOS™ P6
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 7.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 630µ
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1750 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 151W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
FCH22N60N onsemi ¥53.83000 类似
STW24N60DM2 STMicroelectronics ¥41.39000 类似
FCH150N65F-F155 onsemi ¥37.17000 类似
IXFH36N60P IXYS ¥89.08000 类似

价格库存

库存
0
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标准包装
30 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥39.393562 ¥39.39
10+ ¥35.373275 ¥353.73
100+ ¥28.980143 ¥2898.01
500+ ¥24.769545 ¥12384.77

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