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TPCC8A01-H(TE12LQM
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- 制造商编号：
- TPCC8A01-H(TE12LQM
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- U-MOSV-H
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 21A 8TSON
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 21A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
- 规格说明书：
- TPCC8A01-H(TE12LQM说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | U-MOSV-H |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.9 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1900 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta），30W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-TSON Advance（3.3x3.3） |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | ¥7.68000 | 类似 |
| NTTFS4C13NTAG | onsemi | ¥5.53000 | 类似 |
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.15000 | 类似 |
| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.61000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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