STGWA15S120DF3
![ST photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/STMicroelectronics.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/ST/2Aw4lkhR.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/ST/2Aw4lkhR.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- STGWA15S120DF3
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- -
- 描述:
- IGBT 1200V 15A TO247-3L
- 详细描述:
- IGBT 沟槽型场截止 1200 V 30 A 259 W 通孔 TO-247-3
- 规格说明书:
- STGWA15S120DF3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | - |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 30 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 60 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.05V @ 15V,15A |
功率 - 最大值 | 259 W |
开关能量 | 540µJ(开),1.38mJ(关) |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 53 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 23ns/140ns |
测试条件 | 600V,15A,22 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr) | 270 ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IXDH20N120D1 | IXYS | ¥63.20000 | 类似 |
IXGH20N120A3 | IXYS | ¥57.52000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
暂无报价 |