SIZ322DT-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SIZ322DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET® Gen IV
- 描述:
- MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 25V 30A(Tc) 16.7W(Tc) 表面贴装型 8-Power33(3x3)
- 规格说明书:
- SIZ322DT-T1-GE3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® Gen IV |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 25V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6.35 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20.1nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 950pF @ 12.5V |
功率 - 最大值 | 16.7W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
供应商器件封装 | 8-Power33(3x3) |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥8.400768 | ¥8.40 |
10+ | ¥7.379454 | ¥73.79 |
100+ | ¥5.656897 | ¥565.69 |
500+ | ¥4.471922 | ¥2235.96 |
1000+ | ¥3.57753 | ¥3577.53 |
3000+ | ¥3.353947 | ¥10061.84 |