SISS72DN-T1-GE3
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- 制造商编号:
- SISS72DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 150 V 7A(Ta),25.5A(Tc) 5.1W (Ta),65.8W (Tc) PowerPAK® 1212-8S
- 规格说明书:
- SISS72DN-T1-GE3说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 150 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A(Ta),25.5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 42 毫欧 @ 7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 22 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 550 pF @ 75 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 5.1W (Ta),65.8W (Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8S |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8S |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥8.082368 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥15.852802 | ¥15.85 |
10+ | ¥14.274982 | ¥142.75 |
100+ | ¥11.477304 | ¥1147.73 |
500+ | ¥9.429371 | ¥4714.69 |
1000+ | ¥8.082368 | ¥8082.37 |
3000+ | ¥8.082368 | ¥24247.10 |