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F3L200R07PE4BOSA1

Infineon photo

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制造商编号:
F3L200R07PE4BOSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
IGBT MOD 650V 200A 680W
详细描述:
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 650 V 200 A 680 W 底座安装 模块
规格说明书:
F3L200R07PE4BOSA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200 A
功率 - 最大值 680 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 1.95V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值) 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 12.5 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 150°C
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 6

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
6 / PCS
包装
散装
单价:¥1894.4326 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
6+ ¥1894.4326 ¥11366.60

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