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IRLW630ATM
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- 制造商编号：
- IRLW630ATM
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 200 V 9A（Tc） 3.1W（Ta），69W（Tc） I2PAK（TO-262）
- 规格说明书：
- IRLW630ATM说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 4.5A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 755 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），69W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | I2PAK（TO-262） |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RCJ120N20TL | Rohm Semiconductor | ¥9.06000 | 类似 |
| IRF624SPBF | Vishay Siliconix | ¥16.97000 | 类似 |
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- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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