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SSM6L39TU,LF

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制造商编号:
SSM6L39TU,LF
制造商:
Toshiba东芝
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 800mA 500mW 表面贴装型 UF6
规格说明书:
SSM6L39TU,LF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 800mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 143毫欧 @ 600MA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 268pF @ 10V
功率 - 最大值 500mW
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装 UF6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.386505 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
3000+ ¥1.386505 ¥4159.52

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