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STP110N55F6
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- 制造商编号：
- STP110N55F6
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- 描述：
- MOSFET N-CH 55V 110A TO220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 55 V 110A（Tc） 150W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- STP110N55F6说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.2 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 120 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8350 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXTP200N055T2 | IXYS | ¥30.57000 | 类似 |
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | ¥22.73000 | 类似 |
| IRF1405PBF | Infineon Technologies | ¥24.88000 | 类似 |
| PSMN4R2-60PLQ | Nexperia USA Inc. | ¥24.65000 | 类似 |
| IRF2907ZPBF | Rochester Electronics, LLC | ¥28.18000 | 类似 |
价格库存
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- 0
- 货期
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥23.36713 | ￥23.37 |
| 10+ | ￥21.017879 | ￥210.18 |
| 100+ | ￥16.892953 | ￥1689.30 |
