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DMHC6070LSD-13

Diodes photo

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制造商编号:
DMHC6070LSD-13
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) 60V 3.1A,2.4A 1.6W 表面贴装型 8-SO
规格说明书:
DMHC6070LSD-13说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.1A,2.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 100 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 731pF @ 20V
功率 - 最大值 1.6W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥10.771677 ¥10.77
10+ ¥9.646635 ¥96.47
100+ ¥7.521252 ¥752.13
500+ ¥6.213035 ¥3106.52
1000+ ¥4.905068 ¥4905.07
2500+ ¥4.578065 ¥11445.16
5000+ ¥4.459144 ¥22295.72

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