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STP11NM80
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- 制造商编号：
- STP11NM80
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- MDmesh™
- 描述：
- MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 800 V 11A（Tc） 150W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- STP11NM80说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | MDmesh™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 43.6 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1630 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FCP11N60N | onsemi | ¥25.65000 | 类似 |
| IPP60R380E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥12.89214 | 类似 |
| FCP380N60 | onsemi | ¥16.28000 | 类似 |
| IXFP22N60P3 | IXYS | ¥42.39000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥42.460094 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥63.498242 | ￥63.50 |
| 10+ | ￥57.377195 | ￥573.77 |
| 100+ | ￥47.50693 | ￥4750.69 |
| 500+ | ￥42.460094 | ￥21230.05 |
