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MT3S111TU,LF

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请参阅产品规格

制造商编号:
MT3S111TU,LF
制造商:
Toshiba东芝
系列:
-
描述:
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
详细描述:
RF 晶体管 NPN 6V 100mA 10GHz 800mW 表面贴装型 UFM
规格说明书:
MT3S111TU,LF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
晶体管类型 NPN
电压 - 集射极击穿(最大值) 6V
频率 - 跃迁 10GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益 12.5dB
功率 - 最大值 800mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 30mA,5V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-SMD,扁平引线
供应商器件封装 UFM
标准包装 3,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
MCH4015-TL-H onsemi ¥3.23000 类似
BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies ¥4.61000 类似
BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies ¥5.68000 类似
BFP620H7764XTSA1 Infineon Technologies ¥5.53000 类似
BFP196E6327HTSA1 Infineon Technologies ¥4.07000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥5.072377 ¥5.07
10+ ¥4.508146 ¥45.08
25+ ¥4.068844 ¥101.72
100+ ¥3.560239 ¥356.02
250+ ¥3.124174 ¥781.04
500+ ¥2.761037 ¥1380.52
1000+ ¥2.179766 ¥2179.77
3000+ ¥2.179766 ¥6539.30

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