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2N6661
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 90 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 860mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 725mW（Ta），6.25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-39 |
| 封装/外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 标准包装 | 100 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| 2N6661 | Microchip Technology | ¥122.42000 | 类似 |
| VN2210N2 | Microchip Technology | ¥122.42000 | 类似 |
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