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STB26NM60N

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制造商编号:
STB26NM60N
制造商:
ST意法半导体
系列:
MDmesh™ II
描述:
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 600 V 20A(Tc) 140W(Tc) D²PAK(TO-263)
规格说明书:
STB26NM60N说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 MDmesh™ II
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 165 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 60 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1800 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 140W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK(TO-263)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 1,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
R6024ENJTL Rohm Semiconductor ¥26.65000 类似
FCB199N65S3 onsemi ¥20.58000 类似
R6020KNJTL Rohm Semiconductor ¥24.42000 类似
AOB27S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥32.25000 类似
AOB20S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥26.03000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥64.082929 ¥64.08
10+ ¥57.861573 ¥578.62
100+ ¥47.907404 ¥4790.74
500+ ¥42.818157 ¥21409.08
1000+ ¥42.818157 ¥42818.16

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