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SIR871DP-T1-GE3

Vishay photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
SIR871DP-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
-
描述:
MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8
详细描述:
表面贴装型 P 通道 100 V 48A(Tc) 89W(Tc) PowerPAK® SO-8
规格说明书:
SIR871DP-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 48A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 20 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 90 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3395 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 89W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥10.57168 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥20.813796 ¥20.81
10+ ¥18.676465 ¥186.76
100+ ¥15.012168 ¥1501.22
500+ ¥12.333679 ¥6166.84
1000+ ¥10.57168 ¥10571.68
3000+ ¥10.57168 ¥31715.04

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