DMN2013UFX-7
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- 制造商编号:
- DMN2013UFX-7
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- Automotive, AEC-Q101
- 描述:
- MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V 10A(Ta) 2.14W 表面贴装型 W-DFN5020-6
- 规格说明书:
- DMN2013UFX-7说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | Automotive, AEC-Q101 |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 11.5 毫欧 @ 8.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 57.4nC @ 8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2607pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 2.14W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-VFDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | W-DFN5020-6 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥2.799257 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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3000+ | ¥2.799257 | ¥8397.77 |