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DMN2013UFX-7

Diodes photo

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制造商编号:
DMN2013UFX-7
制造商:
Diodes美台
系列:
Automotive, AEC-Q101
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V 10A(Ta) 2.14W 表面贴装型 W-DFN5020-6
规格说明书:
DMN2013UFX-7说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11.5 毫欧 @ 8.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 57.4nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2607pF @ 10V
功率 - 最大值 2.14W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 W-DFN5020-6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.799257 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
3000+ ¥2.799257 ¥8397.77

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