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NTD2955-1G

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制造商编号:
NTD2955-1G
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
详细描述:
通孔 P 通道 60 V 12A(Ta) 55W(Tj) I-PAK
规格说明书:
NTD2955-1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 750 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 55W(Tj)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-PAK
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装 75

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
75 / PCS
包装
管件
单价:¥8.405093 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥8.405093 ¥8.41

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