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SI2312CDS-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI2312CDS-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 20 V 6A（Tc） 1.25W（Ta），2.1W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
- 规格说明书：
- SI2312CDS-T1-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31.8 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 865 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta），2.1W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RUR040N02TL | Rohm Semiconductor | ¥4.76000 | 类似 |
| DMG6968U-7 | Diodes Incorporated | ¥3.15000 | 类似 |
| AO3420 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥3.53000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.023706 | ￥4.02 |
| 10+ | ￥3.430979 | ￥34.31 |
| 100+ | ￥2.561379 | ￥256.14 |
| 500+ | ￥2.012491 | ￥1006.25 |
| 1000+ | ￥1.5551 | ￥1555.10 |
| 3000+ | ￥1.417872 | ￥4253.62 |
| 6000+ | ￥1.372152 | ￥8232.91 |
