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FCD360N65S3R0
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- 制造商编号：
- FCD360N65S3R0
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- SuperFET® III
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 10A（Tc） 83W（Tc） D-PAK（TO-252）
- 规格说明书：
- FCD360N65S3R0说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | SuperFET® III |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 360 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 730 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D-PAK（TO-252） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TK380P65Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥12.59000 | 直接 |
| IPD70R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies | ¥10.37000 | 类似 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.966362 | ￥14.97 |
| 10+ | ￥13.358019 | ￥133.58 |
| 100+ | ￥10.416041 | ￥1041.60 |
| 500+ | ￥8.60421 | ￥4302.11 |
| 1000+ | ￥7.204497 | ￥7204.50 |
| 2500+ | ￥7.204531 | ￥18011.33 |
