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2N6766T1

Microsemi photo

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制造商编号:
2N6766T1
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 200V 30A TO254AA
详细描述:
通孔 N 通道 200 V 30A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-254AA
规格说明书:
2N6766T1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 -
包装 散装
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 90 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 115 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 4W(Ta),150W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-254AA
封装/外壳 TO-254-3,TO-254AA(直引线)
标准包装 1

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包装
散装
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