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APT80SM120B

Microsemi photo

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制造商编号:
APT80SM120B
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
-
描述:
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
详细描述:
通孔 N 通道 1200 V 80A(Tc) 555W(Tc) TO-247
规格说明书:
APT80SM120B说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 -
包装 散装
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 55 毫欧 @ 40A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 235 nC @ 20 V
Vgs(最大值) +25V,-10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 555W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 1

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标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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