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QH8MA4TCR

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
QH8MA4TCR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 9A,8A 1.5W 表面贴装型 TSMT8
规格说明书:
QH8MA4TCR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A,8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 16 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 640pF @ 15V
功率 - 最大值 1.5W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装 TSMT8
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥3.236956 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥8.877569 ¥8.88
10+ ¥7.829419 ¥78.29
100+ ¥6.006036 ¥600.60
500+ ¥4.747535 ¥2373.77
1000+ ¥3.798033 ¥3798.03
3000+ ¥3.44196 ¥10325.88
6000+ ¥3.236956 ¥19421.74

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