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JANTXV2N6849
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- 制造商编号：
- JANTXV2N6849
- 制造商：
- Microsemi美高森美
- 系列：
- Military, MIL-PRF-19500/564
- 描述：
- MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
- 详细描述：
- 通孔 P 通道 100 V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
- 规格说明书：
- JANTXV2N6849说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi(美高森美) |
| 系列 | Military, MIL-PRF-19500/564 |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 320 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 800mW（Ta），25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-205AF（TO-39） |
| 封装/外壳 | TO-205AF 金属罐 |
| 标准包装 | 1 |
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- 包装
- 散装
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