US6M11TR
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- 制造商编号:
- US6M11TR
- 制造商:
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V,12V 1.5A,1.3A 1W 表面贴装型 TUMT6
- 规格说明书:
- US6M11TR说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V,12V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A,1.3A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 180 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.8nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 110pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1W |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装 | TUMT6 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥5.334545 | ¥5.33 |
10+ | ¥4.551461 | ¥45.51 |
100+ | ¥3.397353 | ¥339.74 |
500+ | ¥2.669187 | ¥1334.59 |
1000+ | ¥2.062554 | ¥2062.55 |
3000+ | ¥1.880564 | ¥5641.69 |
6000+ | ¥1.759237 | ¥10555.42 |