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VS-GB100TP120N
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- 制造商编号：
- VS-GB100TP120N
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
- 详细描述：
- IGBT 模块 - 半桥 1200 V 200 A 650 W 底座安装 INT-A-PAK
- 规格说明书：
- VS-GB100TP120N说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 停产 |
| IGBT 类型 | - |
| 配置 | 半桥 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200 A |
| 功率 - 最大值 | 650 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.2V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 5 mA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 7.43 nF @ 25 V |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | INT-A-Pak |
| 供应商器件封装 | INT-A-PAK |
| 标准包装 | 24 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FF300R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | ¥1,282.66000 | 直接 |
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