您好，欢迎来到壹方微芯！
搜索
    我的购物车

    APT68GA60LD40

    Microchip photo

    图像仅供参考

    请参阅产品规格

    制造商编号：
    APT68GA60LD40
    制造商：
    Microchip微芯
    系列：
    POWER MOS 8™
    描述：
    IGBT 600V 121A 520W TO-264
    详细描述：
    IGBT PT 600 V 121 A 520 W 通孔 TO-264 [L]
    规格说明书：
    APT68GA60LD40说明书
    在线客服：
    咨询客服
    服务：
    为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。

    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Microchip(微芯)
    系列 POWER MOS 8™
    包装 管件
    零件状态 在售
    IGBT 类型 PT
    电压 - 集射极击穿（最大值） 600 V
    电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 121 A
    电流 - 集电极脉冲 (Icm) 202 A
    不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2.5V @ 15V，40A
    功率 - 最大值 520 W
    开关能量 715µJ（开），607µJ（关）
    输入类型 标准
    栅极电荷 198 nC
    25°C 时 Td（开/关）值 21ns/133ns
    测试条件 400V，40A，4.7 欧姆，15V
    反向恢复时间 (trr) 22 ns
    工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型 通孔
    封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA
    供应商器件封装 TO-264 [L]
    标准包装 1

    替代产品

    型号 品牌 参考价格 说明
    RJH60D7BDPQ-E0#T2 Renesas Electronics America Inc ¥47.00000 类似

    价格库存

    库存
    0
    货期
    咨询客服
    标准包装
    1 / PCS
    包装
    管件
    单价：￥98.177458 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
    50+ ￥98.177458 ￥4908.87

    相关产品