STP80NF12
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- 制造商编号:
- STP80NF12
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- STripFET™ II
- 描述:
- MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 120 V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220
- 规格说明书:
- STP80NF12说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | STripFET™ II |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 120 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 18 毫欧 @ 40A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 189 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4300 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 300W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IRF8010PBF | Infineon Technologies | ¥19.12000 | 类似 |
FDP3651U | onsemi | ¥18.51000 | 类似 |
IPP147N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | ¥17.66000 | 类似 |
IRF3710PBF | Infineon Technologies | ¥15.05000 | 类似 |
HUF75639P3 | onsemi | ¥20.81000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥31.42594 | ¥31.43 |
10+ | ¥28.248011 | ¥282.48 |
100+ | ¥23.142236 | ¥2314.22 |
500+ | ¥19.700611 | ¥9850.31 |
1000+ | ¥18.880744 | ¥18880.74 |