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STP80NF12
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- 制造商编号：
- STP80NF12
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- STripFET™ II
- 描述：
- MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 120 V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- STP80NF12说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | STripFET™ II |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 120 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 189 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4300 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRF8010PBF | Infineon Technologies | ¥19.12000 | 类似 |
| FDP3651U | onsemi | ¥18.51000 | 类似 |
| IPP147N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | ¥17.66000 | 类似 |
| IRF3710PBF | Infineon Technologies | ¥15.05000 | 类似 |
| HUF75639P3 | onsemi | ¥20.81000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥20.595077 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥34.279352 | ￥34.28 |
| 10+ | ￥30.812873 | ￥308.13 |
| 100+ | ￥25.243504 | ￥2524.35 |
| 500+ | ￥21.489387 | ￥10744.69 |
| 1000+ | ￥20.595077 | ￥20595.08 |
