STP28N60M2
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- 制造商编号:
- STP28N60M2
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- MDmesh™ II Plus
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 24A TO220
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 600 V 24A(Tc) 170W(Tc) TO-220
- 规格说明书:
- STP28N60M2说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | MDmesh™ II Plus |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 150 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 37 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1370 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 170W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 1,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
FCP165N60E | onsemi | ¥23.12000 | 类似 |
IPP60R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥32.56000 | 类似 |
IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥32.56000 | 类似 |
FCP22N60N | onsemi | ¥39.47000 | 类似 |
FCP20N60 | onsemi | ¥35.33000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥31.779297 | ¥31.78 |
10+ | ¥28.511318 | ¥285.11 |
100+ | ¥23.356643 | ¥2335.66 |
500+ | ¥19.882874 | ¥9941.44 |
1000+ | ¥19.05529 | ¥19055.29 |