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ESM2012DV

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制造商编号:
ESM2012DV
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
详细描述:
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 120 V 120 A - 175 W 底座安装 ISOTOP®
规格说明书:
ESM2012DV说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
晶体管类型 NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 120 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 120 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 1.5V @ 1A,100A
电流 - 集电极截止(最大值) -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 1200 @ 100A,5V
功率 - 最大值 175 W
频率 - 跃迁 -
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 ISOTOP
供应商器件封装 ISOTOP®
标准包装 10

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
10 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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