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SIDC09D60E6X1SA1
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- 制造商编号：
- SIDC09D60E6X1SA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- -
- 描述：
- DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
- 详细描述：
- 二极管 标准 600 V 20A（DC） 表面贴装型 带箔切割晶片
- 规格说明书：
- SIDC09D60E6X1SA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 停产 |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 600 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 20A（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.7 V @ 20 A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 150 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 27 µA @ 600 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 模具 |
| 供应商器件封装 | 带箔切割晶片 |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
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- 包装
- 散装
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