PSMN013-100BS,118
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- 制造商编号:
- PSMN013-100BS,118
- 制造商:
- Nexperia安世
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 100 V 68A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
- 规格说明书:
- PSMN013-100BS,118说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Nexperia(安世) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 68A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 13.9 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 59 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3195 pF @ 50 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 170W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D2PAK |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
NVB6411ANT4G | onsemi | ¥10.07379 | 类似 |
IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | ¥34.87000 | 类似 |
FDB150N10 | onsemi | ¥32.02000 | 类似 |
IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | ¥14.21000 | 类似 |
IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | ¥20.04000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥8.627468 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥16.99669 | ¥17.00 |
10+ | ¥15.239827 | ¥152.40 |
100+ | ¥12.250797 | ¥1225.08 |
800+ | ¥10.06536 | ¥8052.29 |
1600+ | ¥8.627468 | ¥13803.95 |
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