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IXTH14N80

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制造商编号:
IXTH14N80
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
MegaMOS™
描述:
MOSFET N-CH 800V 14A TO247
详细描述:
通孔 N 通道 800 V 14A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
规格说明书:
IXTH14N80说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 MegaMOS™
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 700 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 170 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4500 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247(IXTH)
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
STW13N80K5 STMicroelectronics ¥39.47000 类似
STW12NK80Z STMicroelectronics ¥50.07000 类似
FQAF13N80 Rochester Electronics, LLC ¥42.39000 类似

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标准包装
30 / PCS
包装
管件
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