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SIB900EDK-T1-GE3

Vishay photo

图像仅供参考

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制造商编号:
SIB900EDK-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 1.5A 3.1W 表面贴装型 PowerPAK® SC-75-6L 双
规格说明书:
SIB900EDK-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 225 毫欧 @ 1.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 3.1W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SC-75-6L 双
供应商器件封装 PowerPAK® SC-75-6L 双
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
剪切带(CT)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.901398 ¥4.90
10+ ¥4.227741 ¥42.28
100+ ¥3.155816 ¥315.58
500+ ¥2.479515 ¥1239.76

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