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SI8851EDB-T2-E1
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- 制造商编号：
- SI8851EDB-T2-E1
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 20 V 7.7A（Ta） 660mW（Ta） Power Micro Foot®（2.4x2）
- 规格说明书：
- SI8851EDB-T2-E1说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 180 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6900 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 660mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Power Micro Foot®（2.4x2） |
| 封装/外壳 | 30-XFBGA |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥2.489313 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.204351 | ￥6.20 |
| 10+ | ￥5.480718 | ￥54.81 |
| 100+ | ￥4.198444 | ￥419.84 |
| 500+ | ￥3.319067 | ￥1659.53 |
| 1000+ | ￥2.655263 | ￥2655.26 |
| 3000+ | ￥2.489313 | ￥7467.94 |
